2024年4月19日下午，应公司晁小练老师邀请，北京理工大学黄厚兵教授在英国威廉希尔公司官网2307会议室作了题为“相场模拟设计铁电压电材料”的学术报告，公司相关专业的教师及研究生参加了本次报告。报告会由晁小练老师主持。

        伴随着电子元器件的小型化、轻质化和集成化，对芯片等电子元器件的高效制冷需求日益增加。黄厚兵教授首先介绍了铁电材料因其在电、力、热等外场下发生相变，而在高效固态制冷器件领域展现出巨大的应用前景。接着他介绍了相场模拟铁电压电畴结构及其低电场下熵变低的应用瓶颈，通过搭建电致结晶相场模型，提出了电场诱导结晶相变提升熵变设计思路，实现了低电场下熵变的四倍提升。最后他介绍了利用相场理论服务和指导实验，制备出纳米岛实现拓扑铁电畴逻辑器件，为低功耗、高密度存算一体化器件提供设计思路。

        报告结束后，黄厚兵教授与师生就高熵陶瓷相场模拟等学术问题进行了深入交流讨论，并详细解答了师生提出的相关问题。

撰稿：彭战辉 李嘉琦

审核：刘治科 董芬芬